Galvanik-Einheit

Durch die silicet Prozess Einheit eröffnen sich
völlig neue Möglichkeiten der Waferbearbeitung!

Es können alle Waferstellungen realisiert werden.
Auch die bisher in Anlagen und Bechergläsern unmögliche
Anordnung der Anode über dem waagerecht liegenden Wafer.






Das Prinzip der silicet Prozess Einheit eignet sich zur
Bearbeitung beliebiger Substratgrößen und -formen,
z.B. Wafer in den Größen 2" bis 8".
Auch ohne Vakuum-Management!

Innovation für galvanische Prozesse: Entwickelt wurde eine Prozess Einheit, die es erlaubt, sowohl dünnste Silizium Wafer als auch dicke Substrate ohne mechanische Beanspruchung prozessgerecht zu handhaben und zu prozessieren. Dabei erspart die mit der silicet Prozess Einheit entsprechenden Ausstattung den Einsatz komplexer Anlagen.
Mit der silicet Prozess Einheit ist es möglich, Wafer in Nassätz- und galvanischen Prozessen wirtschaftlich, das heißt mit hoher Prozessstabilität und hoher Ausbeute, in kurzen Bestückungs- und Entnahmezyklen, ohne Waferbruch bei minimalem Verbrauch der zum Teil gefährlichen Medien, zu prozessieren.

Durch die Positionierung eines Schallgebers in der Einheit kann die Strömung positiv beeinflusst werden.
In der silicet Prozess Einheit findet der gesamte Prozess im geschützten Raum statt!

• Der Medienverbrauch ist durch die kleine Kammergröße gering. Kostenersparnis
• Optimaler Energieeinsatz, da nur kleine Medienmengen zu temperieren sind Kostenersparnis
• Kontakt mit giftigen und aggressiven Medien wird vermieden Sicherheit
• Keine Ausgasung an offenen Oberflächen Sicherheit
• Geringer Platzbedarf, leicht zu transportieren
  Flexibilität
• Gleichbleibende Prozessführung Qualitätssicherung